大多数试验中单次大剂量照射都较高
发布日期：2017-11-20对DNA修复缺陷的突变细胞系，及其有正常修复能力亲代细胞的研究证明，高LET射线能降低DNA DSBs的修复能力。同源重组修复和非同源末端，连接通路中的缺陷细胞，对比有正常修复能力的亲代细胞而言，对高LET和低LET射线都具有更高的敏感度。然而，对有修复缺陷的细胞系来说，其对X射线敏感性的增加要明显高于对高LET射线。因此，与具有正常DSBs修复能力的细胞相比，DSBs修复缺陷的细胞其RBE明显下降。
海外医疗服务机构爱诺美康介绍到，低LET射线导致的DSBs，较之高LET射线更容易得到修复。总的来说，带电粒子的LET和速度变化会改变RBE。高LET粒子照射在一个相同的轨迹中，或小段纤维中产生的多次损伤会使DSBs难以修复。然而，LET的作用仅是描述能量沉积的密度、方式及其与生物效应之间的关系。具有相同LET的不同离子束，可产生完全不同的RBE，以及包括细胞死亡在内的不同的终点效应。当粒子的Z值减少时，LET产生的大RBE值也随之减少。
对于不同DNA结构和特点的，许多不同的带电粒子的能量沉积的空间格局，还要继续进行详细分析。但目前看来，还需开发出一个更有力的生物学效应参数。可是，不论开发何种方法，要记得正如在后面的“临床治疗用S0BP束流的相对生物学效应”部分中讨论的那样，粒子的RBE不仅和能量沉积方式，和产生的伤害自然特性有关，还和细胞对伤害的反应有关。此反应又随着不同细胞类型而不同。
现已清楚，大多数细胞类型在照射后的主要损伤部位是DNA，而DNA损伤则导致细胞死亡。但是，对于有限的特殊的细胞类型，如网状内皮组织系统，细胞膜损伤与DNA损伤同时发生，导致细胞死亡，这种细胞死亡的路径称为细胞凋亡（apoptosis）或程序化细胞死亡（PCD），它的分子和形态学特点，与经典有丝分裂相关的细胞死亡或坏死有所不同。较重粒子的S0BP朿流相比，S0BP质子束在其S0BP宽度内，并未出现RBE的明显变化，主要是因为S0JBP质子束由混合不同能量的质子束构成，其中能量较低的质子束其RBE亦较低，而能量较高的质子束的峰值区域又比较狭窄，因此造成这一现象。S0BP质子束的RBE在S0BP区间，没有明显变化的性质可给质子束的临床应用带来方便。
海外医疗服务机构爱诺美康介绍到，但在特定的应用环境下，与较重粒子相比，则各有长短。大多数质子治疗装置对S0BP内的全部能量、组织、剂量水平和位置的RBE都设为1.1。虽然研究结果提示S0BP质子束的RBE值变化不大，但S0BP内的所有能量、组织、剂量水平和位置，都采用固定的RBE也未必合适。优化治疗计划时，必须充分了解从人射坪区，至穿过S0BP的S0BP束流的RBE情况，每次照射时RBE随剂量变化的规律，以及这些变化对受照射组织的影响。
目前，有大量已完成的研究S0BP质子束RBE的实验，但很少能对这些彼此相互联系的问题给出满意的解答。如果对所有这些的实验数据进行编辑整理，即使忽略评估剂量值、S0BP中的位置、靶细胞和组织特性如o/P值等的影响，也许能够提出一个在可信区间的RBE均值，但它有可能掩盖那些虽然小但确实存在的RBE差异。
大多数S0BP质子束的体内试验，仅取S0BP中的两个位置进行分析，即入射坪区和S0BP的中点。对一个宽10cm、160MeVS0BP质子束的微剂量分析提示，LET从人射坪区至S0I3P中点是相对不变的，而在射线远端1/3处LET有明显增加。射线的远端大约有20%的剂量是来自>10keV的能量沉积可能是其中的重要原因。可见，当低a/p值细胞在X射线剂量为2Gy时，RBE在LET多lokeV/fxm处明显增加。海外医疗的的大多数体内RBE试验中，均采用单次大剂量照射或每次照射剂量都较高，这意味着与日常的临床治疗是存在差异的，而此时的RBE可能是小的。
